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交流感應(yīng)電機(jī)在此應(yīng)用中很常見(jiàn)，光耦EL354并且始終由功率級(jí)中使用的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動(dòng)。 典型的總線(xiàn)電壓為 200 VDC 至 1,000 VDC。 IGBT 使用電子換向來(lái)實(shí)現(xiàn)交流感應(yīng)電機(jī)所需的正弦電流。

這些光耦提供的輸出電流范圍從幾十mA 但是，在一些大功率應(yīng)用中，當(dāng)輸出電流從幾A到幾十A時(shí)，上述小功率器件往往無(wú)法滿(mǎn)足需求。 因此需要大功率晶閘管、雙向可控硅、MOS場(chǎng)效應(yīng)管等電源。 

光耦EL354

IF不同不同對(duì)應(yīng)的CTR也不同，并且數(shù)據(jù)差異還很大，一般情況下在IF=5ma時(shí)，CTR值都應(yīng)該與原有光耦所用區(qū)域CTR值的大體一致，要不然產(chǎn)品動(dòng)態(tài)性很差，替代時(shí)需要注意選取合適的IF電流，使輸入控制電流的變動(dòng)都能及時(shí)反饋到輸出端，保證產(chǎn)品反饋環(huán)的穩(wěn)定。

當(dāng)輸入信號(hào)Vi經(jīng)晶體管BG1和BG2的前級(jí)放大后，驅(qū)動(dòng)光電耦合器左側(cè)的LED發(fā)光，并全部被右側(cè)光敏管吸收，轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。該信號(hào)由后級(jí)電路BG3放大，管子經(jīng)過(guò)電容C3后，發(fā)射極輸出一個(gè)未失真的放大信號(hào)V0

線(xiàn)性關(guān)系指的是CTR-IF的關(guān)系，一定范圍內(nèi),對(duì)于非線(xiàn)性光耦的電流傳輸特性曲線(xiàn)是非線(xiàn)性的，這類(lèi)光耦適合于開(kāi)關(guān)信號(hào)的傳輸，不適合于傳輸模擬量。而線(xiàn)性光耦的電流傳輸特性曲線(xiàn)接近直線(xiàn)，并且小信號(hào)時(shí)性能較好，能以線(xiàn)性特性進(jìn)行隔離控制，常用的線(xiàn)性光耦有PC817系列。

光耦合器是一種以光為介質(zhì)傳輸電信號(hào)的電-光-電轉(zhuǎn)換器件。 它由兩部分組成：發(fā)光源和受光器。 發(fā)光源和受光器組裝在同一個(gè)密封外殼內(nèi)，通過(guò)透明絕緣體相互隔開(kāi)。 發(fā)光源的引腳為輸入端，受光器的引腳為輸出端，常見(jiàn)的發(fā)光源為發(fā)光二極管，受光器為光電二極管、光電三極管等 上。

電子間的關(guān)聯(lián)通常微弱到難以觀測(cè)，但某些情況會(huì)導(dǎo)致電子出現(xiàn)明顯的異常行為，如超導(dǎo)現(xiàn)象，光耦EL354這是高容量計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)?？蒲腥藛T此次通過(guò)高靈敏度的實(shí)驗(yàn)技術(shù)，清晰觀測(cè)到了電子間不尋常的運(yùn)動(dòng)，這對(duì)于研究基于超導(dǎo)體等材料的下一代電子器件是重大突破。