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光耦EL3H7光耦合器是70年代發(fā)展起來(lái)產(chǎn)新型器件，光耦EL3H7現(xiàn)已廣泛用于電氣絕緣、電平轉(zhuǎn)換、級(jí)間耦合、驅(qū)動(dòng)電路、開(kāi)關(guān)電路、斬波器、多諧振蕩器、信號(hào)隔離、級(jí)間隔離、脈沖放大電路、數(shù)字儀表、遠(yuǎn)距離信號(hào)傳輸、脈沖放大、固態(tài)繼電器(SSR)、儀器儀表、通信設(shè)備及微機(jī)接口中

固態(tài)繼電器只是相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān)，不能調(diào)節(jié)電流。 晶閘管可以控制其導(dǎo)通角，可以調(diào)節(jié)電流的大小。 固態(tài)繼電器實(shí)際上是以晶閘管為主要元件制成的，不同的是固態(tài)繼電器的工作電壓和控制電壓是由光耦等內(nèi)部電路隔開(kāi)的。

開(kāi)關(guān)電源中常用的光耦EL3H7光耦合器是線性光耦合器。 如果使用非線性光耦，振蕩波形可能會(huì)變差，嚴(yán)重時(shí)會(huì)出現(xiàn)寄生振蕩，光耦EL3H7以至于幾千赫茲的振蕩頻率被幾十到幾百赫茲的低頻振蕩調(diào)制。 這樣做的結(jié)果是彩電、彩顯、VCD、DCD等會(huì)對(duì)畫面產(chǎn)生干擾。 同時(shí)，電源的負(fù)載能力下降。 

一般的，光耦的電流傳輸比CTR的允許范圍是50%一200%。若CTR<50%,那么光藕中的LED就需要較大的工作電流來(lái)驅(qū)動(dòng)，甚至?xí)黾与娐饭?，再者單片機(jī)I/O口也不能提供過(guò)大電流，若CTR值過(guò)大,在啟動(dòng)電路或者當(dāng)負(fù)載發(fā)生突變時(shí),有可能系統(tǒng)不穩(wěn)定,影響正常輸出

這些光耦提供的輸出電流范圍從幾十mA 但是，在一些大功率應(yīng)用中，當(dāng)輸出電流從幾A到幾十A時(shí)，上述小功率器件往往無(wú)法滿足需求。 因此需要大功率晶閘管、雙向可控硅、MOS場(chǎng)效應(yīng)管等電源。 

電子間的關(guān)聯(lián)通常微弱到難以觀測(cè)，但某些情況會(huì)導(dǎo)致電子出現(xiàn)明顯的異常行為，如超導(dǎo)現(xiàn)象，光耦EL3H7這是高容量計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)?？蒲腥藛T此次通過(guò)高靈敏度的實(shí)驗(yàn)技術(shù)，清晰觀測(cè)到了電子間不尋常的運(yùn)動(dòng)，這對(duì)于研究基于超導(dǎo)體等材料的下一代電子器件是重大突破。