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惠州可控硅光耦廠家
來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-05-16 點(diǎn)擊量:633
現(xiàn)代系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求已經(jīng)突破了光電隔離技術(shù)的局限性。 例如,共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 在總線(xiàn)電壓和電流較大的高功率系統(tǒng)中至關(guān)重要。 IGBT 需要更快地開(kāi)關(guān),以減少開(kāi)關(guān)損耗并降低功耗。
光耦合器一般由三部分組成:光發(fā)射、光接收和信號(hào)放大。 輸入的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管(LED)發(fā)出一定波長(zhǎng)的光,被光電探測(cè)器接收后產(chǎn)生光電流,進(jìn)一步放大輸出。 這樣就完成了電-光-電的轉(zhuǎn)換,從而起到輸入、輸出、隔離的作用。
可控硅光耦
這些光耦提供的輸出電流范圍從幾十mA 但是,在一些大功率應(yīng)用中,當(dāng)輸出電流從幾A到幾十A時(shí),上述小功率器件往往無(wú)法滿(mǎn)足需求。 因此需要大功率晶閘管、雙向可控硅、MOS場(chǎng)效應(yīng)管等電源。
當(dāng)輸入信號(hào)Vi經(jīng)晶體管BG1和BG2的前級(jí)放大后,驅(qū)動(dòng)光電耦合器左側(cè)的LED發(fā)光,并全部被右側(cè)光敏管吸收,轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。該信號(hào)由后級(jí)電路BG3放大,管子經(jīng)過(guò)電容C3后,發(fā)射極輸出一個(gè)未失真的放大信號(hào)V0線(xiàn)性關(guān)系指的是CTR-IF的關(guān)系,一定范圍內(nèi),對(duì)于非線(xiàn)性光耦的電流傳輸特性曲線(xiàn)是非線(xiàn)性的,這類(lèi)光耦適合于開(kāi)關(guān)信號(hào)的傳輸,不適合于傳輸模擬量。而線(xiàn)性光耦的電流傳輸特性曲線(xiàn)接近直線(xiàn),并且小信號(hào)時(shí)性能較好,能以線(xiàn)性特性進(jìn)行隔離控制,常用的線(xiàn)性光耦有PC817系列。
有時(shí)候由于各種原因使得現(xiàn)有電路板上的光耦找不到原有相同的型號(hào)來(lái)代替,但是手頭上有其他廠商,甚至其他型號(hào)的光耦,這時(shí)候需要給出合理的選擇看是否可替換現(xiàn)有的光耦,那么替換時(shí)候需要注意哪些問(wèn)題呢
小功率光控晶閘管常應(yīng)用于電隔離,可控硅光耦為較大的晶閘管提供控制極觸發(fā),也可用于繼電器、自動(dòng)控制等方面。大功率光控晶閘管主要用于高壓直流輸電。